Az új szilícium-karbid modulok biztosítják az szilárdtest-transzformátorok számára a szükséges hőteljesítményt és hatékonyságot, így növelve a token-kibocsátáshoz rendelkezésre álló teljesítményt.
A Microchip Technology 2026. május 26-án bejelentette új, 3,3 kV-os HV-D3 mSiC® teljesítménymoduljainak forgalomba hozatalát, amelyeket azzal a céllal fejlesztettek ki, hogy egyszerűsítsék és felgyorsítsák a szilárdtest-transzformátorok (SST-k) bevezetését a mesterséges intelligencia (MI) hiperméretű adatközpontjaiban és más nagyfeszültségű tápellátási alkalmazásokban. Az új modulok 3,3 kV-os szilícium-karbid (SiC) mSiC® MOSFET-eket és Schottky-diódákat integrálnak egy ipari szabványnak megfelelő 62 mm-es tokba, lehetővé téve a középfeszültségű hálózatból közvetlenül a szerverállványra történő hatékony áramellátást.
Ahogy a mesterséges intelligencia adatközpontjai folyamatosan bővülnek, a tokenek (szövegfeldolgozási egységek) előállítását az energiaellátás korlátozza, míg a hatékonyság meghatározó tényező a befektetés megtérülése szempontjából. A terjedelmes, alacsony frekvenciájú transzformátorokon alapuló hagyományos architektúrák növelik a komplexitást, fokozzák a veszteségeket és korlátozzák a rugalmasságot. A szilárdtest-transzformátorok alapvető változást jelentenek az áramellátásban, mivel csökkentik az átalakítási lépések számát és nagyobb rendszerhatékonyságot tesznek lehetővé. Az iparág átállása a magasabb feszültségű egyenáramú rack-elosztásra a következő generációs MI-létesítményekben tovább növeli az SST-k értékét, amelyek célja, hogy szabályozott egyenáramot szállítsanak közvetlenül a középfeszültségű hálózatból, kevesebb átalakítási lépéssel.
A Microchip HV-D3 mSiC moduljait kifejezetten ezeknek a követelményeknek a teljesítésére tervezték. A modulok a Microchip mSiC MOSFET technológiáját alkalmazzák, amely rendkívül versenyképes RDS(on) stabilitást biztosít a hőmérséklet függvényében; a 6 kV-os szigetelést támogató burkolat CTI 600 besorolású anyagokat tartalmaz, és megnövelt szivárgási távolságokkal rendelkezik, így biztonságos sorba kapcsolást tesz lehetővé nagyfeszültségű üzemeltetéshez. A szilícium-nitrid (Si₃N₄) hordozó javítja a hővezető képességet és a teljesítményciklus-képességet, segítve a tervezőket abban, hogy kevésbé agresszív hűtés mellett is nagyobb teljesítménysűrűséget érjenek el.
„Mivel az MI-adatközpontok folyamatosan feszegetik a határokat a hálózati áram GPU-k számára történő ellátása terén, a szilárdtest-transzformátorok iránti igény egyre nagyobb jelentőségre tesz szert” – mondta Clayton Pillion, a Microchip nagy teljesítményű megoldások üzletágának alelnöke. „3,3 kV-os HV-D3 mSiC teljesítménymoduljaink lehetővé teszik a tervezők számára, hogy a 13,8 kV-os vagy 34,5 kV-os hálózatokhoz való csatlakozáskor körülbelül felére csökkentsék a sorba kapcsolt eszközök számát az alacsonyabb feszültségű SiC alternatívákhoz képest. Az eszközök emellett pótolják az ipari piacon a 100–300 A-es termékek terén fennálló lényeges hiányosságot, hidat képezve a diszkrét SiC eszközök és a sokkal nagyobb teljesítményű modulok között.”
A HV‑D3 mSiC teljesítménymodulok félhíd és common-source konfigurációkban, párhuzamosan kapcsolt Schottky-diódákkal vagy anélkül kaphatók, és a 100–300 A-es áramtartományban alkalmazhatók. A Microchip mSiC MOSFET-technológiája kiegyensúlyozott kapcsolási veszteségeket nyújt mind a kemény, mind a lágy kapcsolású topológiák esetében, így az eszközök kiválóan alkalmasak SST-tervezésekhez és egyéb nagyfrekvenciás, nagyfeszültségű rendszerekhez.
Bár a HV‑D3 mSiC teljesítménymodulokat elsősorban a mesterséges intelligencia (MI) adatközpontokban használt szilárdtest-transzformátorokhoz optimalizálták, számos más alkalmazási területen is jól használhatók, ideértve a nehéz tehergépjárművek megawattos töltőinfrastruktúráját, a vasúti és nehéz közlekedési eszközök kiegészítő tápellátását, a középfeszültségű motorhajtásokat, valamint az ipari és védelmi célú energiaellátó rendszereket. Ezek a piacok egyaránt profitálnak a magas szigetelési szint, a hőállóság és a hatékony energiaátalakítás ezen kombinációjából.
A Microchip több mint 20 éves tapasztalattal rendelkezik a SiC-eszközök és teljesítménymegoldások fejlesztése, tervezése, gyártása és támogatása terén, hogy ügyfelei könnyedén, gyorsan és magabiztosan tudják bevezetni a SiC-technológiát. A vállalat mSiC-termékei és -megoldásai úgy lettek kialakítva, hogy alacsonyabb rendszerköltségeket, rövidebb piacra lépési időt és kisebb kockázatot biztosítsanak. A Microchip széles és rugalmas SiC-diódák, MOSFET-ek és kapuvezérlők választékát kínálja. További információkért látogasson el a www.microchip.com/sic weboldalra.
Fejlesztőeszközök
A 3,3 kV-os tápegységmodulokhoz alkalmazási útmutató, tervezési útmutató, valamint a gyors prototípus-készítéshez szükséges eszköz- és szimulációs modellek állnak rendelkezésre (application note, design guide, device and simulation models). Ezen felül a Microchip globális műszaki támogatást, tervezési szolgáltatásokat és helyszíni alkalmazástechnikai támogatást is biztosít.
Árak és elérhetőség
A 3,3 kV-os mSiC teljesítménymodulok már sorozatgyártásban kaphatók. A termékeket közvetlenül a Microchip-től, illetve a Microchip értékesítési képviselőjénél vagy a világszerte működő hivatalos forgalmazóknál lehet megvásárolni.
A Microchip Technologyről:
A Microchip Technology Inc. egy széles körű félvezető-termékeket forgalmazó vállalat, amelynek célja, hogy teljes rendszermegoldásokkal megkönnyítse az innovatív tervezést, és ezzel megoldást nyújtson az új technológiák és a tartós fogyasztási cikkek piacának metszéspontjában felmerülő kritikus kihívásokra. Könnyen használható fejlesztőeszközei és átfogó termékportfóliója a tervezési folyamat minden szakaszában támogatja az ügyfeleket, az ötlettől a megvalósításig. Az arizonai Chandlerben található székhelyű Microchip kiemelkedő műszaki támogatást nyújt, és megoldásokat kínál az ipari, autóipari, fogyasztói, repülőgépipari és védelmi, kommunikációs és számítástechnikai piacokon.
További információkért látogasson el a Microchip weboldalára: www.microchip.com
